IRFP4668PBF N-Channel MOSFET IC 200V 130A 520W Chip IC Elektronik
IRFP4668PBF
,N-Channel MOSFET IC
,MOSFET Elektronik IC Chip
Infineon IRFP4668PBF N-Channel MOSFET - Daya dan Efisiensi Tinggi
Infineon IRFP4668PBF adalah MOSFET N-Channel bertenaga tinggi yang dirancang untuk memberikan kinerja dan efisiensi yang sangat baik dalam berbagai aplikasi.Ini termasuk dalam seri HEXFET® dan cocok untuk digunakan sebagai FET tunggal dalam desain sirkuit. Dengan nilai voltase drain-to-source (Vdss) 200V, MOSFET ini dapat menangani tingkat tegangan tinggi, membuatnya cocok untuk aplikasi yang menuntut.Ini memiliki nilai arus pembuangan terus menerus (Id) 130A pada 25 °C (dengan suhu kasus sebagai referensi), memungkinkan kemampuan penanganan daya yang kuat.
IRFP4668PBF N-Channel MOSFET oleh Infineon - Transistor yang Kuat dan Berkinerja Tinggi
MOSFET IRFP4668PBF memiliki resistensi on rendah (Rds On) sebesar 9,7mOhm pada arus pembuangan (Id) 81A dan tegangan sumber gerbang (Vgs) 10V.Resistensi rendah ini meminimalkan kerugian daya dan meningkatkan efisiensi sistem secara keseluruhanMengoperasikan dengan tegangan ambang sumber gerbang (Vgs ((th)) dari 5V pada Id dari 250μA, MOSFET ini membutuhkan tegangan drive hingga 10V untuk kinerja optimal.Memiliki tegangan maksimum sumber gerbang (Vgs) ± 30VIRFP4668PBF MOSFET memiliki muatan gerbang (Qg) 241nC pada tegangan sumber gerbang (Vgs) 10V.Parameter ini menunjukkan jumlah muatan yang diperlukan untuk menghidupkan dan mematikan MOSFET secara efisien.
Dengan kapasitansi input (Ciss) 10.720pF pada tegangan drain-to-source (Vds) 50V, MOSFET ini menyediakan beban kapasitif yang cocok untuk sirkuit penggerak.Bekerja dalam kisaran suhu yang luas dari -55°C sampai 175°C (TJ), IRFP4668PBF dapat menahan berbagai kondisi lingkungan. Paket TO-247-3 memungkinkan pemasangan melalui lubang, memastikan koneksi yang aman dan andal.Infineon IRFP4668PBF N-Channel MOSFET adalah produk aktifDengan dissipasi daya tinggi 520W (Tc), ia dapat menangani tingkat daya yang substansial secara efektif.
Spesifikasi teknis:
| Fitur | Spesifikasi |
|---|---|
| Produsen | Infineon |
| Kategori | Produk semikonduktor diskrit |
| Jenis Transistor | FET, MOSFET |
| Seri | HEXFET |
| Paket | Tabung |
| Status Produk | Aktif |
| Jenis FET | Saluran N |
| Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tegangan pembuangan ke sumber (Vdss) | 200V |
| Arus pembuangan terus menerus (Id) @ 25°C | 130A (Tc) |
| Tegangan drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7mOhm @ 81A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
| Pengisian gerbang (Qg) (Max) @ Vgs | 241 nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ± 30V |
| Kapasitas Masuk (Ciss) (Max) @ Vds | 10720 pF @ 50V |
| Fitur FET | - |
| Penghambatan Daya (Max) | 520W (Tc) |
| Suhu operasi | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipe pemasangan | Melalui Lubang |
| Paket / Kasus | TO-247-3 |
| Nomor produk dasar | IRFP4668 |