200V 30A Transistor IC Chip IRFP250N MOSFET Untuk Tegangan Tinggi Dan Arus Tinggi
Chip IC Transistor 200V
,Chip IC Transistor 30A
,IRFP250N
MOSFET Daya IRFP250N
Solusi Sempurna untuk Aplikasi Tegangan Tinggi dan Arus Tinggi
Apakah Anda mencari MOSFET yang andal untuk proyek elektronik Anda berikutnya?Tidak terlihat lagi dari IRFP250N Power MOSFET.MOSFET ini hadir dengan sejumlah manfaat yang menjadikannya solusi sempurna untuk aplikasi tegangan tinggi dan arus tinggi.
Kelebihan:
- Kemampuan tegangan tinggi hingga 200V
- Resistensi rendah (0,07 ohm), artinya dapat menangani level arus tinggi
- Kecepatan peralihan tinggi untuk pengoperasian yang cepat dan efisien
- Desain tahan lama dan tahan lama
- Mudah dipasang dan diintegrasikan ke sirkuit yang ada
- Harga terjangkau, menjadikannya pilihan hemat biaya untuk DIYers dan profesional
Kontra:
- Mungkin memerlukan pendinginan tambahan untuk mencegah panas berlebih pada aplikasi daya tinggi
- Tidak ideal untuk aplikasi tegangan rendah
- Mungkin tidak cocok untuk aplikasi yang membutuhkan kontrol yang sangat presisi
Singkatnya, MOSFET Daya IRFP250N adalah pilihan yang sangat baik untuk aplikasi tegangan tinggi dan arus tinggi.Kemampuan voltase tinggi, resistansi rendah, dan kecepatan peralihan cepat menjadikannya pilihan yang andal dan terjangkau untuk DIYer dan profesional.Namun, ini mungkin memerlukan pendinginan tambahan dan mungkin tidak cocok untuk tegangan rendah atau aplikasi dengan presisi tinggi.
Fitur Teknik:
- Gaya Pemasangan: Melalui Lubang
- Paket / Kasus: TO-247-3
- Polaritas Transistor: N-Channel
- Jumlah Saluran: 1 Saluran
- Vds - Tegangan Breakdown Sumber Kuras: 200 V
- Id - Arus Pembuangan Berkelanjutan: 30 A
- Rds On - Ketahanan Drain-Source: 75 mOhms
- Vgs - Gerbang-Sumber Tegangan: - 20 V, + 20 V
- Suhu Operasional Minimum: - 55 C
- Suhu Operasi Maksimum: + 175 C
- Pd - Disipasi Daya: 214 W
- Mode Saluran: Penyempurnaan
- Merek: Infineon / Konfigurasi IR: Tunggal
- Waktu Musim Gugur: 33 ns
- Tinggi: 20,7 mm
- Panjang: 15,87 mm
- Jenis Produk: MOSFET
- Waktu Naik: 43 ns
- Subkategori: MOSFET
- Tipe Transistor: 1 N-Channel
- Waktu Tunda Pemutusan Tipikal: 41 ns
- Waktu Tunda Penyalaan Khas: 14 ns
- Lebar: 5,31 mm Satuan
- Berat: 0,211644 ons