Transistor Daya Berkinerja Tinggi

Deskripsi IRF540NPBF: Desain Unggul untuk Elektronik Canggih

Jika Anda mencari transistor daya canggih untuk proyek elektronik Anda, tidak perlu mencari lagi selain IRF540NPBF.Transistor berkinerja tinggi ini dirancang untuk memberikan hasil yang luar biasa, dengan desain superior yang memastikan efisiensi dan keandalan yang optimal.Menampilkan kemampuan tegangan tinggi hingga 100V, IRF540NPBF dapat beroperasi dalam berbagai aplikasi.Ini juga menawarkan kemampuan arus tinggi hingga 33A, membuatnya ideal untuk digunakan di sirkuit yang menuntut yang membutuhkan kemampuan switching yang kuat.

Namun yang benar-benar membedakan IRF540NPBF adalah desainnya yang canggih.Dengan resistansi rendah dan kecepatan switching yang cepat, transistor ini memberikan kinerja yang sangat efisien dan andal.Ini juga memiliki konstruksi yang kokoh yang membuatnya tahan terhadap kerusakan dari faktor lingkungan seperti suhu dan getaran.

Jadi, jika Anda mencari transistor daya performa tinggi yang dapat memberikan hasil superior bahkan dalam aplikasi yang paling menuntut, pilihlah IRF540NPBF.Dengan desainnya yang luar biasa dan performa yang andal, ini adalah pilihan sempurna untuk proyek elektronik tingkat lanjut.

Fitur Teknik:

• Teknologi: Si
• Gaya Pemasangan: Melalui Lubang
• Paket / Kasus: TO-220-3
• Polaritas Transistor: N-Channel
• Jumlah Saluran: 1 Saluran
• Vds - Tegangan Breakdown Sumber Kuras: 100 V
• Id - Arus Pembuangan Berkelanjutan: 33 A
• Rds On - Resistansi Sumber Pembuangan: 44 mOhms
• Vgs - Gerbang-Sumber Tegangan: - 20 V, + 20 V
• Vgs th - Tegangan Ambang Gerbang-Sumber: 2 V
• Qg - Biaya Gerbang: 47,3 nC
• Suhu Operasional Minimum: - 55 C
• Suhu Operasi Maksimum: + 175 C
• Pd - Disipasi Daya: 140 W
• Mode Saluran: Penyempurnaan
• Kemasan: Tabung
• Merek: Teknologi Infineon
• Konfigurasi: Tunggal
• Tinggi: 15,65 mm
• Panjang: 10 mm
• Jenis Produk: MOSFET