FQPF8N60C - MOSFET Kinerja Tinggi untuk Aplikasi Elektronik

Investasikan dalam Komponen Elektronik yang Andal dan Efisien Hari Ini

FQPF8N60C adalah transistor MOSFET yang telah dirancang untuk aplikasi elektronik berkinerja tinggi.Sebagai penjual berpengalaman di bidang elektronik, kami yakin dapat merekomendasikan komponen ini kepada pelanggan yang mencari komponen elektronik yang andal dan efisien.Transistor MOSFET ini memberikan resistansi rendah dan kemampuan peralihan cepat yang membantu meningkatkan efisiensi sistem elektronik.Ini memiliki tegangan sumber pembuangan 600V dan dapat menangani disipasi daya maksimum 176W.

Selain itu, ini memfasilitasi penggunaan heatsink yang lebih kecil dan menyederhanakan manajemen termal desain elektronik.FQPF8N60C adalah solusi hemat biaya untuk aplikasi peralihan daya yang memerlukan kinerja tinggi dan kemampuan peralihan cepat.Dengan konstruksi yang kokoh dan karakteristik kelistrikan yang sangat baik, menjamin pengoperasian yang andal dan efisien untuk sistem elektronik Anda.Investasikan di FQPF8N60C hari ini dan nikmati keuntungan dari transistor MOSFET performa tinggi yang dijamin untuk memenuhi kebutuhan elektronik Anda.

Percayakan kepada kami untuk menyediakan produk elektronik terbaik yang memungkinkan Anda membangun sistem elektronik berkualitas tinggi dan tahan lama.

Fitur Teknik:

• Teknologi: Si
• Gaya Pemasangan: Melalui Lubang
• Paket / Kasus: TO-220-3
• Polaritas Transistor: N-Channel
• Jumlah Saluran: 1 Saluran
• Vds - Tegangan Breakdown Sumber Kuras: 600 V
• Id - Arus Pembuangan Berkelanjutan: 7,5 A
• Rds On - Ketahanan Drain-Source: 1,2 Ohm
• Vgs - Gerbang-Sumber Tegangan: - 30 V, + 30 V
• Vgs th - Tegangan Ambang Gerbang-Sumber: 4 V
• Qg - Biaya Gerbang: 28 nC
• Suhu Operasional Minimum: - 55 C
• Suhu Operasi Maksimum: + 150 C
• Pd - Disipasi Daya: 48 W
• Mode Saluran: Penyempurnaan
• Seri: FQPF8N60C
• Kemasan: Tabung
• Merek: Onsemi/Fairchild
• Konfigurasi: Tunggal
• Waktu Musim Gugur: 64,5 ns