Transistor MOSFET FQPF6N60C yang kuat untuk Elektronik Berkinerja Tinggi

Komponen yang Kuat dan Andal untuk Aplikasi Kelistrikan yang Unggul

Mencari transistor MOSFET yang kuat dan berkinerja tinggi untuk perangkat elektronik Anda?Tidak terlihat lagi dari FQPF6N60C.Transistor ini dirancang untuk memberikan kinerja listrik yang luar biasa, menjadikannya pilihan utama untuk berbagai aplikasi.Dengan arus penguras maksimum 6A dan tegangan maksimum 600V, FQPF6N60C dapat menangani aplikasi yang paling berat sekalipun dengan mudah.Resistensi on-state yang rendah dan kinerja peralihan yang unggul memastikan bahwa perangkat Anda beroperasi secara efisien dan andal.

Dibangun untuk menahan suhu tinggi dan kondisi ekstrim, transistor ini dibuat dengan bahan yang kuat dan teknologi canggih.Ketahanan panasnya yang rendah memastikan pembuangan panas yang efisien dan kinerja yang tahan lama, menjadikannya pilihan yang andal untuk elektronik berperforma tinggi.Apakah Anda sedang mengerjakan desain elektronik baru atau memperbaiki perangkat yang sudah ada, FQPF6N60C adalah komponen yang andal dan andal yang akan meningkatkan kinerja kelistrikan Anda ke level baru.Pesan milik Anda hari ini dan rasakan kinerja dan keandalan yang unggul dalam proyek elektronik Anda.

Fitur Teknik:

• Teknologi: Si
• Gaya Pemasangan: Melalui Lubang
• Paket / Kasus: TO-220-3
• Polaritas Transistor: N-Channel
• Jumlah Saluran: 1 Saluran
• Vds - Tegangan Breakdown Sumber Kuras: 600 V
• Id - Arus Pembuangan Berkelanjutan: 5,5 A
• Rds On - Resistensi Sumber Pembuangan: 2 Ohm
• Vgs - Gerbang-Sumber Tegangan: - 30 V, + 30 V
• Suhu Operasional Minimum: - 55 C
• Suhu Operasi Maksimum: + 150 C
• Pd - Disipasi Daya: 40 W
• Mode Saluran: Penyempurnaan
• Seri: FQPF6N60C
• Kemasan: Tabung
• Merek: Onsemi/Fairchild
• Konfigurasi: Tunggal
• Waktu Musim Gugur: 45 ns
• Transkonduktansi Maju - Min: 4,8 S
• Tinggi: 16,3 mm
• Panjang: 10,67 mm
• Jenis Produk: MOSFET
• Waktu Naik: 45 ns