FQP8N60C MOSFET Performa Tinggi

Rasakan kekuatan tak tertandingi dengan FQP8N60C

FQP8N60C adalah MOSFET berkinerja tinggi yang memberikan daya dan kinerja tak tertandingi untuk berbagai aplikasi elektronik.Dengan resistansi ON yang rendah dan kapasitas arus yang tinggi, MOSFET ini dirancang untuk menangani kebutuhan daya yang paling berat sekalipun.Inti dari FQP8N60C adalah desain unik yang memaksimalkan efisiensi dan meminimalkan kerugian konduksi dan switching.Ini berarti peningkatan kinerja dan pengoperasian yang lebih andal, bahkan dalam kondisi ekstrem.

Menampilkan konstruksi yang kuat dan material berkualitas tinggi, MOSFET ini dibuat untuk tahan lama dan bertahan di lingkungan yang keras.Dengan kinerjanya yang luar biasa, FQP8N60C adalah pilihan tepat bagi para perancang dan insinyur yang ingin mengoptimalkan sistem elektronik mereka.Jadi, jika Anda mencari MOSFET performa tinggi yang memberikan daya dan performa tak tertandingi, pilihlah FQP8N60C.

Secara keseluruhan, deskripsi produk berfokus pada performa tinggi dan keandalan FQP8N60C.Header yang jelas dan ringkas akan menarik perhatian calon pelanggan dan membuat produk menonjol.

• Teknologi: Si
• Gaya Pemasangan: Melalui Lubang
• Paket / Kasus: TO-220-3
• Polaritas Transistor: N-Channel
• Jumlah Saluran: 1 Saluran
• Vds - Tegangan Breakdown Sumber Kuras: 600 V
• Id - Arus Pembuangan Berkelanjutan: 7,5 A
• Rds On - Ketahanan Drain-Source: 1,2 Ohm
• Vgs - Gerbang-Sumber Tegangan: - 30 V, + 30 V
• Vgs th - Tegangan Ambang Gerbang-Sumber: 4 V
• Qg - Biaya Gerbang: 28 nC
• Suhu Operasional Minimum: - 55 C
• Suhu Operasi Maksimum: + 150 C
• Pd - Disipasi Daya: 147 W
• Mode Saluran: Penyempurnaan
• Seri: FQP8N60C
• Kemasan: Tabung
• Merek: Onsemi/Fairchild
• Konfigurasi: Tunggal
• Waktu Musim Gugur: 64,5 ns
• Transkonduktansi Maju - Min: 8,7 S
• Tinggi: 16,3 mm
• Panjang: 10,67 mm
• Jenis Produk: MOSFET
• Waktu Naik: 60,5 detik