Berinvestasi di IXGH48N60C3D1 untuk Elektronik Bertenaga Tinggi

Pro dan Kontra IXGH48N60C3D1

Apakah Anda sedang mencari transistor bertenaga tinggi untuk proyek elektronik Anda?Tidak terlihat lagi dari IXGH48N60C3D1.Transistor NPT IGBT yang andal ini menawarkan beberapa keunggulan, antara lain:

Kelebihan:

- Manajemen daya yang efisien: Dengan tegangan saturasi kolektor-ke-emitor yang rendah, transistor ini memungkinkan manajemen daya yang lebih efisien di perangkat elektronik Anda.

- Peringkat arus tinggi: Pada 48A, Anda dapat mengandalkan transistor ini untuk menangani beban listrik yang paling berat sekalipun dengan mudah.

- Desain tahan lama: Dibangun untuk menahan rentang suhu ekstrem (-55°C hingga +175°C), transistor ini menawarkan keandalan jangka panjang.Meskipun IXGH48N60C3D1 menawarkan beberapa kelebihan, ada beberapa kekurangan yang perlu diingat, seperti:

Kontra:

- Biaya lebih tinggi: Sebagai transistor bertenaga tinggi, IXGH48N60C3D1 hadir dengan label harga yang lebih tinggi daripada beberapa rekannya yang bertenaga lebih rendah.

- Instalasi canggih: Instalasi yang tepat dan penggunaan transistor ini membutuhkan pengetahuan dan keterampilan teknis tingkat lanjut.

Secara keseluruhan, jika Anda mencari transistor yang andal dan kuat untuk proyek elektronik Anda, IXGH48N60C3D1 adalah pilihan cerdas.Manajemen dayanya yang efisien, peringkat arus yang tinggi, dan daya tahan membuatnya menjadi pilihan populer di kalangan pencipta dan pembangun berpengalaman.

Detail teknis:

• Produsen: XYS
• Kategori Produk: Transistor IGBT
• RoHS: Detail
• Teknologi: Si
• Paket/Kasus:TO-247AD-3
• Gaya Pemasangan: Melalui Lubang
• Konfigurasi: Tunggal
• Tegangan Kolektor- Emitor VCEO Maks:600 V
• Tegangan Saturasi Kolektor-Emitor: 2,5 V
• Tegangan Emitor Gerbang Maksimum: - 20 V, + 20 V
• Arus Kolektor Berkelanjutan pada 25 C: 75 A
• Pd - Disipasi Daya: 300 W
• Suhu Operasional Minimum: - 55 C
• Suhu Operasi Maksimum: + 150 C
• Seri: IXGH48N60
• Kemasan: Tabung
• Merk: IXYS
• Arus Kolektor Kontinyu Ic Max:75 A
• Tinggi: 21,46 mm
• Panjang: 16,26 mm
• Jenis Produk: Transistor IGBT
• Subkategori:IGBT
• Lebar: 5,3 mm
• Satuan Berat: 6.500 g