IRG4PH50UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR DENGAN ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODA

Pro dan Kontra Membeli IRG4PH50UD untuk Perangkat Elektronik Anda

Jika Anda ingin meningkatkan perangkat elektronik Anda, IRG4PH50UD bisa menjadi pilihan yang tepat.Sebagai transistor MOSFET daya, ini dirancang untuk kinerja dan efisiensi tinggi dalam berbagai aplikasi.Berikut adalah beberapa pro dan kontra untuk dipertimbangkan sebelum Anda membeli:

Kelebihan:

- Peringkat daya tinggi, dengan Vds maksimum 600V dan peringkat arus berkelanjutan 49A

- Resistansi on-state rendah dan kecepatan peralihan cepat untuk meningkatkan efisiensi

- Desain cerdas dengan fitur bawaan seperti dioda anti-paralel dan perlindungan gerbang-ke-saluran

- Cocok untuk digunakan dalam berbagai elektronik, mulai dari penggerak motor hingga catu daya

Kontra:

- Rawan panas berlebih jika tidak digunakan dengan benar, yang dapat mengurangi performa dan masa pakai

- Mungkin memerlukan sirkuit pendukung tambahan atau pendinginan untuk beroperasi pada tingkat optimal

- Relatif mahal dibandingkan dengan transistor lain yang ada di pasaran

Secara keseluruhan, IRG4PH50UD adalah transistor MOSFET daya berkualitas tinggi yang dapat memberikan hasil mengesankan dalam proyek elektronik Anda.Pastikan untuk menggunakannya sesuai dengan pedoman pabrikan untuk hasil terbaik.

Detail teknis:

• Gaya pemasangan: Melalui Lubang
• Tegangan Emitor Gerbang Maksimum: 20 V
• Suhu Operasional Minimum: -55 C
• Suhu Operasional Maksimum:+150 C
• Paket: KE-247-3
• Panjang: 15,9 MM
• Kemasan: 400
• Tinggi: 20,3 MM
• Lebar: 5,3 MM
• Tegangan Kolektor- Emitor VCEO Maks:3,7 V
• Arus Kolektor Kontinyu Ic Max:45 A