Beli HGTG11N120CND: Solusi Utama untuk Pengalihan Daya Tinggi

Pro dan Kontra HGTG11N120CND: Apakah Sepadan dengan Investasinya?

Apakah Anda mencari solusi switching daya tinggi yang andal?Tidak terlihat lagi dari HGTG11N120CND.Perangkat ini dirancang untuk menangani beban tegangan dan arus tinggi, menjadikannya favorit di kalangan penggemar dan pakar elektronik.

Kelebihan:

- Tegangan tinggi dan kemampuan penanganan arus

- Kecepatan perpindahan cepat untuk kinerja optimal

- Tegangan saturasi kolektor-ke-emitor rendah untuk efisiensi energi

- Desain yang kuat dan tahan lama untuk masa pakai yang lama - Kompatibel dengan berbagai aplikasi elektronik

Kontra:

- Relatif mahal dibandingkan dengan beberapa opsi pengalihan daya tinggi lainnya

- Mungkin memerlukan pengetahuan teknis lanjutan untuk menginstal dan mengoperasikan dengan benar

Secara keseluruhan, HGTG11N120CND merupakan investasi yang solid bagi mereka yang membutuhkan perangkat switching berdaya tinggi yang dapat diandalkan.Dengan performa luar biasa dan efisiensi energi, perangkat ini pasti memberikan hasil.Namun, penting untuk diperhatikan bahwa titik harga dan persyaratan teknisnya mungkin tidak ideal untuk semua pengguna.

Detail teknis:

• Pabrikan: onsemi
• Kategori Produk: Transistor IGBT
• RoHS: Detail
• Teknologi: Si
• Paket/Kasus:TO-247-3
• Gaya Pemasangan: Melalui Lubang
• Konfigurasi: Tunggal
• Tegangan Kolektor- Emitor VCEO Maks:1,2 kV
• Tegangan Saturasi Kolektor-Emitor: 2,1 V
• Tegangan Emitor Gerbang Maksimum: - 20 V, + 20 V
• Arus Kolektor Berkelanjutan pada 25 C:43 A
• Pd - Disipasi Daya 298 W
• Suhu Operasional Minimum: - 55 C
• Suhu Operasional Maksimum:+ 150 C
• Seri: HGTG11N120CND
• Kemasan: Tabung
• Merk: Onsemi/Fairchild
• Kolektor berkelanjutan
• Saat ini:55 A
• Arus Kolektor Kontinyu Ic Max:43 A
• Arus Kebocoran Gerbang-Emitor:+/- 250 nA
• Tinggi: 20,82 mm
• Panjang: 15,87 mm
• Jenis Produk: Transistor IGBT
• Subkategori:IGBT
• Lebar: 4,82 mm
• Bagian # Alias: HGTG11N120CND_NL
• Satuan Berat: 6.390 g