FP150R07N3E4_B11 Modul Transistor IGBT Praktis Daya Tinggi
FP150R07N3E4_B11 Modul Transistor IGBT
,Modul Transistor IGBT Daya Tinggi
,Modul IGBT Daya Tinggi Praktis
Modul IGBT Daya Tinggi
Tingkatkan Proyek Elektronik Anda dengan FP150R07N3E4_B11
FP150R07N3E4_B11 adalah modul IGBT berdaya tinggi yang sempurna untuk meningkatkan proyek elektronik Anda.Dengan output 150A dan 650V yang kuat, modul IGBT ini dapat menangani aplikasi berdaya tinggi dengan mudah.Berikut adalah beberapa pro dan kontra dari FP150R07N3E4_B11:
Kelebihan:
- Output daya tinggi membuatnya ideal untuk aplikasi yang menuntut
- Frekuensi switching yang tinggi memungkinkan pengoperasian yang cepat dan efisien
- Sensor suhu bawaan membantu mencegah panas berlebih
- Desain yang kuat memastikan pengoperasian yang andal bahkan di lingkungan yang keras
Kontra:
- Biaya lebih tinggi dibandingkan dengan modul IGBT yang lebih kecil
- Ukuran besar mungkin tidak ideal untuk proyek kompak Meskipun biayanya lebih tinggi dan ukurannya besar, FP150R07N3E4_B11 menawarkan kinerja yang tidak ada duanya untuk aplikasi daya tinggi.Desainnya yang kuat dan sensor suhu bawaan menjadikannya pilihan yang andal untuk proyek elektronik.
Apakah Anda seorang penggemar DIY atau insinyur elektronik profesional, FP150R07N3E4_B11 adalah pilihan yang sangat baik untuk meningkatkan proyek Anda berikutnya.
Spesifikasi:
- Kategori Produk: Modul IGBT
- RoHS: Detail
- Produk:Modul Silikon IGBT
- Konfigurasi: Inverter 3-Fase
- Tegangan Kolektor- Emitor VCEO Maks:650 V
- Tegangan Saturasi Kolektor-Emitor: 1,55 V
- Arus Kolektor Berkelanjutan pada 25 C:150 A
- Arus Kebocoran Gerbang-Emitor: 400 nA
- Pd - Disipasi Daya:430 W
- Suhu Operasional Minimum: - 40 C
- Suhu Operasional Maksimum:+ 150 C
- Kemasan: Nampan
- Merek: Teknologi Infineon
- Jenis Produk: Modul IGBT
- Seri: Trench/Fieldstop IGBT4 - E4
- Subkategori:IGBT
- Nama dagang:EconoPIM PressFIT
- Satuan Berat: 300g