Mengirim pesan
Rumah > Produk > Modul Transistor IGBT > Modul Transistor Infineon IGBT Stabil BUP314D Lebar Daya Tinggi 4.9mm

Modul Transistor Infineon IGBT Stabil BUP314D Lebar Daya Tinggi 4.9mm

Kategori:
Modul Transistor IGBT
Persediaan:
Di dalam stok
Harga:
Negotiable
Spesifikasi
Nomor Bagian:
BUP314D
Merek:
INFIN
Jenis:
Transistor Daya Tinggi
Tersedia:
Ya
Kondisi:
Baru
Harga:
Consult us
Menyoroti:

Modul Transistor IGBT Stabil

,

Modul Transistor IGBT 4.9mm

,

BUP314D

Perkenalan

Efisien dan Andal: Transistor Berdaya Tinggi BUP314D

Pro dan Kontra Penggunaan Transistor BUP314D di Proyek Elektronik Anda

 

Mencari transistor berdaya tinggi untuk digunakan dalam proyek elektronik Anda berikutnya?Tidak terlihat lagi dari BUP314D.Transistor yang efisien dan andal ini menawarkan disipasi daya maksimum 525 watt dan arus kolektor maksimum 40 ampere, menjadikannya pilihan ideal untuk aplikasi peralihan daya tinggi yang memerlukan waktu peralihan cepat.Dalam hal kelebihan penggunaan BUP314D, efisiensi dan keandalannya adalah dua keuntungan terbesarnya.

 

Berkat konsumsi dayanya yang rendah, transistor ini dapat membantu mengurangi konsumsi energi keseluruhan sistem elektronik, menjadikannya pilihan yang lebih ramah lingkungan.Selain itu, kinerja BUP314D yang andal dan desain yang kuat berarti dapat menahan suhu tinggi dan kondisi pengoperasian yang keras tanpa mengalami kegagalan atau degradasi.Sementara BUP314D menawarkan banyak manfaat, ada beberapa kelemahan potensial yang perlu dipertimbangkan juga.Satu kelemahan potensial adalah bahwa transistor ini mungkin lebih mahal daripada beberapa opsi daya tinggi lainnya di pasaran, yang dapat membuatnya kurang hemat biaya untuk proyek-proyek tertentu.Selain itu, disipasi daya dan arus kolektornya yang tinggi mungkin berlebihan untuk beberapa aplikasi, membuatnya terlalu besar dan tebal.

 

Secara keseluruhan, BUP314D adalah transistor dengan performa terbaik yang menawarkan performa yang efisien dan andal untuk aplikasi switching berdaya tinggi.Apakah Anda sedang membangun proyek elektronik baru dari awal atau memutakhirkan yang sudah ada, transistor yang kuat ini pasti patut dipertimbangkan.

 

Detail teknis:

  • Produsen: Infineon
  • Kategori Produk: Transistor IGBT
  • Teknologi: Si
  • Paket/Kasus:TO-218-3
  • Gaya Pemasangan: Melalui Lubang
  • Konfigurasi: Tunggal
  • Tegangan Kolektor- Emitor VCEO Maksimum: 1,2 kV Maksimum
  • Tegangan Gerbang Emitor:- 20 V, + 20 V Minimum
  • Suhu Operasional :- 55 C
  • Suhu Operasional Maksimum:+ 150 C
  • Kemasan: Tabung
  • Merek: Teknologi Infineon
  • Arus Kolektor Kontinyu Ic Max:42 A
  • Tinggi: 12,5mm
  • Panjang: 15mm
  • Jenis Produk: Transistor IGBT
  • Subkategori:IGBT
  • Lebar: 4,9 mm
Kirim RFQ
Saham:
In Stock
MOQ:
1