Chip Catu Daya MOSFET 60V 30A, Saluran N 79W KE-220-3 FQP30N06
Chip Catu Daya 60V
,Chip Catu Daya 30A
,FQP30N06
Tingkatkan Catu Daya Anda dengan FQP30N06 MOSFET
Rasakan Efisiensi dan Performa Tak Tertandingi
Tingkatkan catu daya Anda dengan MOSFET FQP30N06 - MOSFET kinerja maksimum untuk aplikasi tegangan tinggi.Apakah Anda perlu memberi daya pada aplikasi yang menuntut atau sistem tegangan tinggi, FQP30N06 siap membantu Anda.Dengan tegangan drain ke sumber hingga 60 V dan arus drain kontinu 30A, MOSFET N-channel yang kuat ini dapat menangani tugas yang paling menantang dengan mudah.
Dibuat dengan teknologi oksida logam, MOSFET FQP30N06 cocok untuk aplikasi tegangan tinggi dengan kapasitansi input 945 pF.Menawarkan Rds On maksimum 40mOhm dan Gate Charge 25 nC, ini memberikan efisiensi terbaik bahkan dalam kondisi beban berat.Dirancang untuk pemasangan melalui lubang, ia hadir dalam paket TO-220-3, membuatnya mudah dipasang.Apa pun kondisi kerjanya, MOSFET FQP30N06 dapat menanganinya.Dengan kisaran suhu pengoperasian -55°C hingga 175°C, tetap dingin bahkan di bawah suhu paling ekstrem.Tingkatkan catu daya Anda hari ini dengan MOSFET FQP30N06 dan rasakan efisiensi dan kinerja yang tak tertandingi.Jangan puas dengan kurang ketika Anda bisa mendapatkan yang terbaik.
|
Kategori |
Produk Semikonduktor Diskrit |
|
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal |
|
|
Kemasan |
Tabung |
|
Tipe FET |
Saluran-N |
|
Teknologi |
MOSFET (Oksida Logam) |
|
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) |
60 V |
|
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C |
30A (Tc) |
|
Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
|
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs |
40mOhm @ 15A, 10V |
|
Vgs(th) (Max) @ Id |
4V @ 250µA |
|
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs |
25 nC @ 10 V |
|
Vg (Maks) |
±25V |
|
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds |
945 pF @ 25 V |
|
Disipasi Daya (Maks) |
79W (Tc) |
|
Suhu Operasional |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
|
Tipe Pemasangan |
Melalui Lubang |
|
Paket / Kasus |
KE-220-3 |
|
Nomor Produk Dasar |
FQP30 |