FCH47N60F 47N60F N Channel MOSFET 600 V 47A 417W Melalui Lubang TO-247
FCH47N60F
,FCH47N60F N Channel MOSFET
,Melalui Lubang N Channel MOSFET
MOSFET Kinerja Tinggi untuk Aplikasi Semikonduktor Diskrit
Memperkenalkan SuperFET FCH47N6 dari onsemi dalam Paket TO-247-3
Mencari MOSFET yang kuat dan andal untuk kebutuhan semikonduktor diskrit Anda?Tidak terlihat lagi dari SuperFET FCH47N6 dari onsemi.Didesain dengan teknologi MOSFET (Metal Oxide) mutakhir, transistor N-Channel ini menghasilkan tegangan drain ke sumber 600 V yang mengesankan dan arus drain kontinu 47A pada 25°C.
Dengan Rds On maksimum hanya 70mOhm dan muatan gerbang maksimum hanya 270 nC pada 10V, FCH47N6 memberikan efisiensi yang luar biasa, sementara rentang suhu operasi yang luas (-55°C hingga 150°C) memastikan daya tahan bahkan dalam kondisi yang paling ekstrim sekalipun .MOSFET yang kuat ini kompatibel dengan pemasangan melalui lubang dan hadir dalam paket TO-247-3.Jangan lewatkan kekuatan dan keandalan SuperFET FCH47N6 yang mengesankan untuk aplikasi semikonduktor diskrit.
|
Kategori |
Produk Semikonduktor Diskrit |
|
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal |
|
|
Kemasan |
Tabung |
|
Bagian Status |
Usang |
|
Tipe FET |
Saluran-N |
|
Teknologi |
MOSFET (Oksida Logam) |
|
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) |
600 V |
|
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C |
47A (Tc) |
|
Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
|
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs |
73mOhm @ 23,5A, 10V |
|
Vgs(th) (Max) @ Id |
5V @ 250µA |
|
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs |
270 nC @ 10 V |
|
Vg (Maks) |
±30V |
|
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds |
8000 pF @ 25 V |
|
Fitur FET |
- |
|
Disipasi Daya (Maks) |
417W (Tc) |
|
Suhu Operasional |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
|
Tipe Pemasangan |
Melalui Lubang |
|
Paket / Kasus |
KE-247-3 |
|
Nomor Produk Dasar |
FCH47 |