Mengirim pesan
Rumah > Produk > Chip IC Elektronik > Surface Mount 135A P Channel MOSFET IC, BVDSS 25V-30V DMP34M4SPS-13

Surface Mount 135A P Channel MOSFET IC, BVDSS 25V-30V DMP34M4SPS-13

Kategori:
Chip IC Elektronik
Persediaan:
Di dalam stok
Harga:
Negotiable
Spesifikasi
Jenis:
MOSFET
Jenis Paket:
Permukaan gunung
Aplikasi:
Tujuan umum
Suhu Operasional:
-55°C 150°C (TJ)
Paket / Kasus:
8-PowerTDFN
Tipe FET:
Saluran-P
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss):
30V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C:
135A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs:
3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.6V @ 250uA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs:
127nC @ 10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds:
3775pF @ 15V
Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On):
5V, 10V
Vg (Maks):
±25V
Menyoroti:

Permukaan Gunung P Saluran MOSFET IC

,

135A P Saluran MOSFET IC

,

DMP34M4SPS-13

Perkenalan

Tingkatkan Kinerja Perangkat Anda dengan DMP34M4SPS TPCA8128 MOSFET P-Channel 30V 34A 8SOP

Optimalkan Daya Baterai Notebook Anda dan Pengalihan Beban dengan Kualitas Terbaik DMP34M4SPS-13

 

Jika Anda ingin meningkatkan performa laptop dan meningkatkan daya tahan baterainya, Anda memerlukan MOSFET DMP34M4SPS.Dirancang dengan bahan berkualitas tinggi, MOSFET P-Channel dengan kapasitas 30V, 21A ini adalah solusi terbaik untuk perangkat Anda.Dengan kinerja switching yang luar biasa dan RDS(ON) yang diminimalkan, MOSFET DMP34M4SPS ini menjamin untuk memberikan efisiensi maksimum setiap kali Anda menggunakannya.Baik Anda perlu mengelola daya baterai notebook atau beban sakelar, perangkat kelas atas ini akan menyelesaikan pekerjaan dengan mudah.Pilih DMP34M4SPS-13, dan buat laptop Anda bekerja lebih pintar, bukan lebih keras.

 

 

Kategori Produk

MOSFET

Teknologi

Ya

Gaya Pemasangan

SMD/SMT

Paket / Kasus

PowerDI5060-8

Polaritas Transistor

Saluran-P

Jumlah Saluran

1 Saluran

VDS - Tegangan Breakdown Drain-Source

30 V

Id - Arus Tiriskan Terus Menerus

135 A

Rds On - Resistensi Drain-Source

2,9 mOhm

Vgs - Tegangan Sumber Gerbang

25 V

Vgs th - Tegangan Ambang Gerbang-Sumber

2.6 V

Qg - Biaya Gerbang

127 nC

Suhu Operasional Minimum

- 55 C

Suhu Operasional Maksimum

+ 150 C

Pd - Disipasi Daya

3 W

Modus Saluran

Peningkatan

Konfigurasi

Lajang

Tipe Transistor

1 P-Saluran

Waktu Musim Gugur

160 detik

tipe produk

MOSFET

Waktu Bangun

4 n

Waktu Tunda Turn-Off Khas

372 n

Waktu Tunda Penyalaan Umum

6,9 detik

 

Kirim RFQ
Saham:
In Stock
MOQ:
1